Datasheet STB20NK50ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 500 В 17 А D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB20NK50ZT4
![]() 19 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, STMICROELECTRONICS STB20NK50ZT4 MOSFET Transistor, N Channel, 17A, 500V, 230mohm, 30V, 3.75V | |||
STB20NK50ZT4 STMicroelectronics | от 467 ₽ | ||
STB20NK50ZT4 STMicroelectronics | 1 400 ₽ | ||
STB20NK50ZT4 STMicroelectronics | по запросу | ||
STB20NK50ZT4 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 500 В 17 А D2PAK
Краткое содержание документа:
STB20NK50Z, STF20NK50Z STP20NK50Z, STW20NK50Z
N-channel 500 V, 0.23 17 A SuperMESHTM Power MOSFET , Zener-protected TO-220, TO-247, TO-220FP, D2PAK
Features
Type STB20NK50Z STF20NK50Z STP20NK50Z STW20NK50Z VDSS 500 V 500 V 500 V 500 V RDS(on) max < 0.27 < 0.27 < 0.27 < 0.27 ID PW
3 1 2
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 230 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 30 В
- Voltage Vgs Max: 3.75 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 17 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 190 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть