Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet STB20NK50ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 500 В 17 А D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB20NK50ZT4

Наименование модели: STB20NK50ZT4

17 предложений от 10 поставщиков
MOSFET транзистор: N-ch, 500В, 17А
Akcel
Весь мир
STB20NK50ZT4
STMicroelectronics
от 136 ₽
Utmel
Весь мир
STB20NK50ZT4
STMicroelectronics
от 142 ₽
ChipWorker
Весь мир
STB20NK50ZT4
STMicroelectronics
241 ₽
Acme Chip
Весь мир
STB20NK50ZT4
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 500 В 17 А D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB20NK50Z, STF20NK50Z STP20NK50Z, STW20NK50Z
N-channel 500 V, 0.23 17 A SuperMESHTM Power MOSFET , Zener-protected TO-220, TO-247, TO-220FP, D2PAK
Features
Type STB20NK50Z STF20NK50Z STP20NK50Z STW20NK50Z VDSS 500 V 500 V 500 V 500 V RDS(on) max < 0.27 < 0.27 < 0.27 < 0.27 ID PW
3 1 2

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 8.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On State Resistance: 230 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 3.75 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: D2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 17 А
  • Тип корпуса: D2-PAK
  • Power Dissipation Pd: 190 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 500 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STB20NK50ZT4 - STMicroelectronics MOSFET N CH 500 V 17 A D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России