Datasheet STB23NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 20 А D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB23NM60ND
![]() 13 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, D2PAK N-CH 600V 19.5A | |||
STB23NM60ND STMicroelectronics | от 35 ₽ | ||
STB23NM60ND STMicroelectronics | 393 ₽ | ||
STB23NM60ND STMicroelectronics | 1 002 ₽ | ||
STB23NM60ND STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 20 А D2PAK
Краткое содержание документа:
STx23NM60ND
N-channel 600 V, 0.150 19.5 A, FDmeshTM II Power MOSFET , (with fast diode) DІPAK, IІPAK, TO-220, TO-220FP, TO-247
Features
Type STx23NM60ND
VDSS (@Tjmax) 650 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 150 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 25 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 19.5 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 150 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть