Datasheet STB23NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 20 А D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB23NM60ND

Наименование модели: STB23NM60ND

Купить STB23NM60ND на РадиоЛоцман.Цены — от 128 до 1 242 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
Стандарт СИЗ Россия	STB23NM60ND STMicroelectronics	128 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	STB23NM60ND STMicroelectronics	167 ₽
ChipWorker Весь мир	STB23NM60ND STMicroelectronics	913 ₽
Acme Chip Весь мир	STB23NM60ND STMicroelectronics	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 20 А D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx23NM60ND
N-channel 600 V, 0.150 19.5 A, FDmeshTM II Power MOSFET , (with fast diode) DІPAK, IІPAK, TO-220, TO-220FP, TO-247
Features
Type STx23NM60ND
VDSS (@Tjmax) 650 V

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 10 А
Drain Source Voltage Vds: 600 В
On State Resistance: 150 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 25 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: D2-PAK
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Current Id Max: 19.5 А
Тип корпуса: D2-PAK
Power Dissipation Pd: 150 Вт
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
Тип транзистора: Power MOSFET
Voltage Vds Typ: 600 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть