Datasheet STB30NF10T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 100 В 35 А D2PAK — Даташит

Купить STB30NF10T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 26 до 1 011 ₽ 47 предложений от 19 поставщиков MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK. N-Channel 100V 35A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
ChipWorker Весь мир	STB30NF10T4 STMicroelectronics	39 ₽	Купить
Рутоника Россия и страны СНГ	STB30NF10T4 STMicroelectronics	55 ₽	Купить
Элитан Россия	STB30NF10T4 STMicroelectronics	96 ₽	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	STB30NF10T4 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 100 В 35 А D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB30NF10 STP30NF10 - STP30NF10FP
N-channel 100V - 0.038 - 35A - D2PAK/TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP
VDSS 100V 100V 100V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 15 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 38 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 35 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 115 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть