Datasheet STB30NF10T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 100 В 35 А D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB30NF10T4
![]() 40 предложений от 19 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 15 А, 0.038 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
STB30NF10T4 STMicroelectronics | от 16 ₽ | ||
STB30NF10T4 STMicroelectronics | от 26 ₽ | ||
STB30NF10T4 STMicroelectronics | 39 ₽ | ||
STB30NF10T4 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 100 В 35 А D2PAK
Краткое содержание документа:
STB30NF10 STP30NF10 - STP30NF10FP
N-channel 100V - 0.038 - 35A - D2PAK/TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP
VDSS 100V 100V 100V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 15 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 38 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 35 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 115 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть