Datasheet STB3NK60ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 2.4 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB3NK60ZT4
![]() 24 предложений от 16 поставщиков Труба MOS, N-CHANNEL 600V - 3.3Ω - 2.4A TO-220/TO-220FP/D2PAK/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET | |||
STB3NK60ZT4 STMicroelectronics | от 13 ₽ | ||
STB3NK60ZT4 STMicroelectronics | 70 ₽ | ||
STB3NK60ZT4 STMicroelectronics | 77 ₽ | ||
STB3NK60ZT4 STMicroelectronics | от 78 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 2.4 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STP3NK60Z - STP3NK60ZFP STB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK60Z-1
N-CHANNEL 600V - 3.3 - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTMPower MOSFET
TYPE STP3NK60Z STP3NK60ZFP STB3NK60Z STD3NK60Z STD3NK60Z-1
s s s s s s
VDSS 600 600 600 600 600 V V V V V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 3.3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 2.4 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Рассеиваемая мощность: 45 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- STMicroelectronics - STB3NK60ZT4