Datasheet STB4NK60ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 4 А, D2PAK — Даташит

Купить STB4NK60ZT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 219 ₽ 29 предложений от 18 поставщиков Транзистор полевой N-канальный 600В 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
727GS Весь мир	STB4NK60ZT4 STMicroelectronics	от 20 ₽	Купить
Элитан Россия	STB4NK60ZT4 STMicroelectronics	75 ₽	Купить
ЭИК Россия	STB4NK60ZT4 STMicroelectronics	от 154 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	STB4NK60ZT4 ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 4 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60Z STD4NK60Z-1, STP4NK60Z,STP4NK60ZFP
N-channel 600 V - 1.76 - 4 A SuperMESHTM Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP
Features
Type STB4NK60Z STB4NK60Z-1 STD4NK60Z STD4NK60Z-1 STP4NK60Z STP4NK60ZFP
VDSS 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 1.76 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Рассеиваемая мощность: 70 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 4 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть