Datasheet STB55NF06T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 60 В 50 А D2PAK — Даташит

Купить STB55NF06T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 22 до 232 ₽ 47 предложений от 23 поставщиков Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 110Вт
ChipWorker Весь мир	STB55NF06T4 STMicroelectronics	76 ₽	Купить
ICdarom.ru Россия	STB55NF06T4 STMicroelectronics	от 93 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	STB55NF06T4 STMicroelectronics	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	STB55NF06T4 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 60 В 50 А D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB55NF06 - STB55NF06-1 STP55NF06 - STP55NF06FP
N-channel 60V - 0.015 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FP STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STB55NF06 STB55NF06-1 STP55NF06 STP55NF06FP VDSS 60V 60V 60V 60V RDS(on) <0.018 <0.018 <0.018 <0.018 ID 50A
3

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 27.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On State Resistance: 15 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 50 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 110 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть