Datasheet STB60N55F3 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, D2-PAK — Даташит

Купить STB60N55F3 на РадиоЛоцман.Цены — от 70 до 1 963 ₽ 20 предложений от 17 поставщиков MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK. N-Channel 55V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
ChipWorker Весь мир	STB60N55F3 STMicroelectronics	70 ₽	Купить
Maybo Весь мир	STB60N55F3 STMicroelectronics	528 ₽	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	STB60N55F3 STMicroelectronics	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	STB60N55F3 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB60N55F3, STD60N55F3, STF60N55F3 STI60N55F3, STP60N55F3, STU60N55F3
N-channel 55 V, 6.5 m 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 , TO-220FP STripFETTM III Power MOSFET
Features
Type STB60N55F3 STD60N55F3 STF60N55F3 STI60N55F3 STP60N55F3 STU60N55F3
VDSS 55V 55V 55V 55V 55V 55V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 80 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On State Resistance: 8.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 80 А
• On State resistance @ Vgs = 10V: 8.5 МОм
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 110 Вт
• Pulse Current Idm: 320 А
• SMD Marking: 60N55F3
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 55 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5