Datasheet STB60NF10T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, D2PAK — Даташит

Купить STB60NF10T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 59 до 198 ₽ 17 предложений от 17 поставщиков MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK. N-Channel 100V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Microfind Россия	STB60NF10T4 STMicroelectronics	59 ₽	Купить
ЧипСити Россия	STB60NF10T4 STMicroelectronics	96 ₽	Купить
SUV System Весь мир	STB60NF10T4 STMicroelectronics	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	STB60NF10T4 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB60NF10 STB60NF10-1 - STP60NF10
N-channel 100V - 0.019 - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STB60NF10 STB60NF10-1 STP60NF10
VDSS (@Tjmax) 100V 100V 100V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 40 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 19 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рассеиваемая мощность: 300 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 80 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть