Datasheet STB6NK60ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 6 А D2PAK — Даташит

Купить STB6NK60ZT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 328 ₽ 46 предложений от 21 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 3 А, 1 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Стандарт СИЗ Россия	FQB6N60 (ST-STB6NK60ZT4) STMicroelectronics	15 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STB6NK60ZT4 STMicroelectronics	41 ₽	Купить
Контест Россия	STB6NK60ZT4 STMicroelectronics	95 ₽	Купить
ЭИК Россия	STB6NK60ZT4 STMicroelectronics	от 263 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 6 А D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB6NK60Z - STB6NK60Z-1 STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
N-channel 600 V - 1 - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STB6NK60Z STB6NK60Z-1 STP6NK60ZFP STP6NK60Z
VDSS 600 V 600 V 600 V 600 V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 1 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 6 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 110 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть