Datasheet STB6NK90ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 900 В, 5.8 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB6NK90ZT4
Купить STB6NK90ZT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 830 ₽ 45 предложений от 22 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 900 В, 2.9 А, 1.56 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
STB6NK90ZT4 STMicroelectronics | 32 ₽ | ||
STB6NK90ZT4 STMicroelectronics | 57 ₽ | ||
STB6NK90ZT4 STMicroelectronics | 72 ₽ | ||
STB6NK90ZT4 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 900 В, 5.8 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STP6NK90Z - STP6NK90ZFP STB6NK90Z - STW7NK90Z
N-channel 900V - 1.56 - 5.8A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STP6NK90Z STP6NK90ZFP STB6NK90Z STW7NK90Z
VDSS 900 V 900 V 900 V 900 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 900 В
- On Resistance Rds(on): 1.56 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Рассеиваемая мощность: 140 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 5.8 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 900 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть