На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet STB6NK90ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 900 В, 5.8 А, D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB6NK90ZT4

Наименование модели: STB6NK90ZT4

45 предложений от 22 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 900 В, 2.9 А, 1.56 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
STB6NK90ZT4
STMicroelectronics
32 ₽
Элитан
Россия
STB6NK90ZT4
STMicroelectronics
57 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STB6NK90ZT4
STMicroelectronics
72 ₽
ТаймЧипс
Россия
STB6NK90ZT4
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 900 В, 5.8 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP6NK90Z - STP6NK90ZFP STB6NK90Z - STW7NK90Z
N-channel 900V - 1.56 - 5.8A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STP6NK90Z STP6NK90ZFP STB6NK90Z STW7NK90Z
VDSS 900 V 900 V 900 V 900 V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 900 В
  • On Resistance Rds(on): 1.56 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Рассеиваемая мощность: 140 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: D2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Id Max: 5.8 А
  • Тип корпуса: D2-PAK
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 900 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STB6NK90ZT4 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 900 V, 5.8 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России