Datasheet STB80NF10T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, D2PAK — Даташит

Купить STB80NF10T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 53 до 430 ₽ 45 предложений от 23 поставщиков MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK. N-Channel 100V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Рутоника Россия и страны СНГ	STB80NF10T4 STMicroelectronics	125 ₽	Купить
Microfind Россия	STB80NF10T4 STMicroelectronics	135 ₽	Купить
Эиком Россия	STB80NF10T4 STMicroelectronics	от 195 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	STB80NF10T4 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB80NF10 STP80NF10
N-channel 100 V, 0.012 80 A, TO-220, D2PAK , low gate charge STripFETTM II Power MOSFET
Features
Type STP80NF10 STB80NF10
VDSS 100 V 100 V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 40 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 12 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рассеиваемая мощность: 300 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 80 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex