Datasheet STB80NF10T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, D2PAK — Даташит

Купить STB80NF10T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 29 до 430 ₽ 36 предложений от 20 поставщиков Труба MOS, STMICROELECTRONICS STB80NF10T4 MOSFET Transistor, N Channel, 40A, 100V, 0.012Ω, 10V, 3V
727GS Весь мир	STB80NF10T4 STMicroelectronics	от 29 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STB80NF10T4 STMicroelectronics	73 ₽	Купить
ЭИК Россия	STB80NF10T4 STMicroelectronics	от 296 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	STB80NF10T4 STMicroelectronics	303 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB80NF10 STP80NF10
N-channel 100 V, 0.012 80 A, TO-220, D2PAK , low gate charge STripFETTM II Power MOSFET
Features
Type STP80NF10 STB80NF10
VDSS 100 V 100 V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 40 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 12 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рассеиваемая мощность: 300 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 80 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex