Datasheet STB80NF10T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB80NF10T4
Купить STB80NF10T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 28 до 461 ₽ 30 предложений от 16 поставщиков N-channel 100 V, 0.012Ом, 80 A, TO-220, D2PAK low gate charge STripFETTM II Power MOSFET | |||
STB80NF10T4 STMicroelectronics | 28 ₽ | ||
STB80NF10T4 STMicroelectronics | 83 ₽ | ||
STB80NF10T4 STMicroelectronics | 347 ₽ | ||
STB80NF10T4 STMicroelectronics | от 461 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STB80NF10 STP80NF10
N-channel 100 V, 0.012 80 A, TO-220, D2PAK , low gate charge STripFETTM II Power MOSFET
Features
Type STP80NF10 STB80NF10
VDSS 100 V 100 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 40 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 12 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 300 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 80 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: Y-Ex