Datasheet STB80NF55-06T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 80 А, D2PAK — Даташит

Купить STB80NF55-06T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 55 до 8 791 ₽ 20 предложений от 15 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
ЧипСити Россия	STB80NF55-06T4 STMicroelectronics	255 ₽	Купить
ЭИК Россия	STB80NF55-06T4 STMicroelectronics	268 ₽	Купить
Maybo Весь мир	STB80NF55-06T4 STMicroelectronics	280 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	STB80NF55-06T4 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 80 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP
N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STB80NF55-06 STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 STP80NF55-06FP
1.

Limited by package

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 40 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On Resistance Rds(on): 5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рассеиваемая мощность: 300 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 80 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 55 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

STB80NF5506T4, STB80NF55 06T4