Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet STB80NF55-06T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 80 А, D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB80NF55-06T4

Наименование модели: STB80NF55-06T4

20 предложений от 10 поставщиков
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
T-electron
Россия и страны СНГ
STB80NF55-06T4
STMicroelectronics
78 ₽
Akcel
Весь мир
STB80NF55-06T4
STMicroelectronics
от 264 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
STB80NF55-06T4
STMicroelectronics
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
STB80NF55-06T4
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 80 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP
N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STB80NF55-06 STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 STP80NF55-06FP
1.

Limited by package

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 40 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On Resistance Rds(on): 5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 300 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: D2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Id Max: 80 А
  • Тип корпуса: D2-PAK
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 55 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

STB80NF5506T4, STB80NF55 06T4

На английском языке: Datasheet STB80NF55-06T4 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 55 V, 80 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России