Datasheet STB9NK60ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 7 А, D2PAK — Даташит

Купить STB9NK60ZT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 456 ₽ 35 предложений от 16 поставщиков N-канальный полевой транзистор 600В, 125Вт, 7А, очень низкая внутрення емкость
Стандарт СИЗ Россия	STB9NK60ZT4 STMicroelectronics	21 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STB9NK60ZT4 STMicroelectronics	53 ₽	Купить
Akcel Весь мир	STB9NK60ZT4 STMicroelectronics	от 271 ₽	Купить
ЧипСити Россия	STB9NK60ZT4 STMicroelectronics	365 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 7 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP9NK60Z - STP9NK60ZFP STB9NK60Z - STB9NK60Z-1
N-CHANNEL 600V - 0.85 - 7A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESHTMPower MOSFET
TYPE STP9NK60Z STP9NK60ZFP STB9NK60Z STB9NK60Z-1 VDSS 600 600 600 600 V V V V RDS(on) < 0.95 < 0.95 < 0.95 < 0.95 ID 7 7 7 7 A A A A Pw 125 W 30 W 125 W 125 W
1 2
3

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 850 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 7 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть