Datasheet STD13NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 11 А DPAK — Даташит
Наименование модели: STD13NM60N
![]() 41 предложений от 21 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,93А; 90Вт; DPAK | |||
STD13NM60N STMicroelectronics | от 36 ₽ | ||
STD13NM60N STMicroelectronics | 162 ₽ | ||
STD13NM60N STMicroelectronics | от 269 ₽ | ||
STD13NM60N STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 11 А DPAK
Краткое содержание документа:
STB13NM60N,STD13NM60N,STF13NM60N STP13NM60N,STW13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 , 11 A MDmeshTM II Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
Features
Type STB13NM60N STD13NM60N STF13NM60N STP13NM60N STW13NM60N
VDSS (@Tjmax) 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 280 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 25 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 11 А
- Тип корпуса: DPAK
- Power Dissipation Pd: 90 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть