Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet STD1NK60T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 1 А DPAK — Даташит

STMicroelectronics STD1NK60T4

Наименование модели: STD1NK60T4

44 предложений от 20 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 500 мА, 8 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STD1NK60T4
STMicroelectronics
7.66 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STD1NK60T4
STMicroelectronics
18 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
STD1NK60T4
STMicroelectronics
26 ₽
STD1NK60T4
STMicroelectronics
от 97 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 1 А DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD1NK60 - STD1NK60-1
STQ1HNK60R - STN1HNK60
N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESHTM MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STD1NK60 STD1NK60-1 STQ1HNK60R STN1HNK60

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 500 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 8 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 1 А
  • Тип корпуса: DPAK
  • Power Dissipation Pd: 30 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STD1NK60T4 - STMicroelectronics MOSFET N CH 600 V 1 A DPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России