Datasheet STD1NK80ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 800 В, 1 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: STD1NK80ZT4
![]() 50 предложений от 25 поставщиков Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1А 45Вт | |||
STD1NK80ZT4 STMicroelectronics | 20 ₽ | ||
STD1NK80ZT4 STMicroelectronics | от 80 ₽ | ||
STD1NK80ZT4 STMicroelectronics | 99 ₽ | ||
STD1NK80ZT4 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 800 В, 1 А, DPAK
Краткое содержание документа:
STQ1NK80ZR-AP - STN1NK80Z STD1NK80Z - STD1NK80Z-1
N-CHANNEL 800V - 13 - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESHTM MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STQ1NK80ZR-AP STN1NK80Z STD1NK80Z STD1NK80Z-1
Figure 1: Package
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On Resistance Rds(on): 13 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Рассеиваемая мощность: 45 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 1 А
- Тип корпуса: DPAK
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 800 В
- Voltage Vgs Max: 3.75 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть