Datasheet STD2HNK60Z-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, I-PAK — Даташит

Купить STD2HNK60Z-1 на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 465 ₽ 31 предложений от 19 поставщиков MOSFET силовой транзистор - [TO-251-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 2 А; Rси(вкл): 4.8 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30...
Триема Россия	STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics	50 ₽	Купить
Десси Россия	MOSFET транзистор STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics	53 ₽	Купить
Maybo Весь мир	STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics	68 ₽	Купить
727GS Весь мир	STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics	от 465 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, I-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD2HNK60Z - STD2HNK60Z-1 STF2HNK60Z - STQ2HNK60ZR-AP
N-channel 600V - 4.4 - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
General features
Type STD2HNK60Z STD2HNK60Z-1 STF2HNK60Z STQ2HNK60ZR-AP
VDSS 600V 600V 600V 600V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 4.8 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: I-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 120mJ
• Capacitance Ciss Typ: 280 пФ
• Current Iar: 2 А
• Current Id Max: 2 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 2.77°C/W
• Тип корпуса: IPAK
• Power Dissipation Pd: 45 Вт
• Pulse Current Idm: 8 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: 3 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Panasonic - EYGA121807A
• Roth Elektronik - RE901

Варианты написания:

STD2HNK60Z1, STD2HNK60Z 1