Datasheet STD2NK90Z-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 900 В 2.1 А IPAK — Даташит
Наименование модели: STD2NK90Z-1
![]() 39 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 900 В, 1.05 А, 5 Ом, TO-251AA, Through Hole | |||
STD2NK90Z-1 STMicroelectronics | 106 ₽ | ||
STD2NK90Z-1 STMicroelectronics | от 112 ₽ | ||
STD2NK90Z-1 STMicroelectronics | от 159 ₽ | ||
STD2NK90Z-1 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 900 В 2.1 А IPAK
Краткое содержание документа:
STP2NK90Z - STD2NK90Z STD2NK90Z-1
N-channel 900V - 5 - 2.1A - TO-220 /DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
General features
Type STD2NK90Z STD2NK90Z-1 STP2NK90Z
VDSS RDS(on) (@Tjmax) 900V 900V 900V <6.5 <6.5 <6.5
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.05 А
- Drain Source Voltage Vds: 900 В
- On State Resistance: 5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: I-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 2.1 А
- Тип корпуса: IPAK
- Power Dissipation Pd: 70 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 900 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
STD2NK90Z1, STD2NK90Z 1