Datasheet STD3NK80Z-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 800 В 2.5 А IPAK — Даташит

Купить STD3NK80Z-1 на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 384 ₽ 39 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 1.25 А, 3.8 Ом, TO-251AA, Through Hole
AllElco Electronics Весь мир	STD3NK80Z-1 STMicroelectronics	от 20 ₽	Купить
Maybo Весь мир	STD3NK80Z-1 STMicroelectronics	153 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	STD3NK80Z-1	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	STD3NK80Z1 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 800 В 2.5 А IPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD3NK80Z, STD3NK80Z-1 STF3NK80Z, STP3NK80Z
N-channel 800 V, 3.8 , 2.5 A, TO-220, TO-220FP, DPAK, IPAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STP3NK80Z STF3NK80Z STD3NK80Z STD3NK80Z-1
VDSS (@Tjmax) 800 V 800 V 800 V 800 V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.25 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On State Resistance: 3.8 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: I-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 2.5 А
• Тип корпуса: IPAK
• Power Dissipation Pd: 70 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

STD3NK80Z1, STD3NK80Z 1