Datasheet STD3NK80ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 800 В, 2.5 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: STD3NK80ZT4
![]() 36 предложений от 20 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 2.5 А, 3.8 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount | |||
STD3NK80ZT4 STMicroelectronics | 81 ₽ | ||
STD3NK80ZT4 STMicroelectronics | 82 ₽ | ||
STD3NK80ZT4 STMicroelectronics | 96 ₽ | ||
STD3NK80ZT4 STMicroelectronics | 129 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 800 В, 2.5 А, DPAK
Краткое содержание документа:
STD3NK80Z, STD3NK80Z-1 STF3NK80Z, STP3NK80Z
N-channel 800 V, 3.8 , 2.5 A, TO-220, TO-220FP, DPAK, IPAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STP3NK80Z STF3NK80Z STD3NK80Z STD3NK80Z-1
VDSS (@Tjmax) 800 V 800 V 800 V 800 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On Resistance Rds(on): 3.8 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Рассеиваемая мощность: 70 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 2.5 А
- Тип корпуса: DPAK
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 800 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть