Datasheet STD3NK90ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 900 В 3 А DPAK — Даташит
Наименование модели: STD3NK90ZT4
![]() 56 предложений от 24 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 900 В, 1.5 А, 4.1 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount | |||
STD3NK90ZT4 STMicroelectronics | от 53 ₽ | ||
STD3NK90ZT4 STMicroelectronics | 163 ₽ | ||
STD3NK90ZT4 STMicroelectronics | 169 ₽ | ||
STD3NK90ZT4 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 900 В 3 А DPAK
Краткое содержание документа:
STP3NK90Z - STP3NK90ZFP STD3NK90Z - STD3NK90Z-1
N-CHANNEL 900V - 4.1 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTMPower MOSFET
TYPE STP3NK90Z STP3NK90ZFP STD3NK90Z STD3NK90Z-1 VDSS 900 900 900 900 V V V V RDS(on) < 4.8 < 4.8 < 4.8 < 4.8 ID 3 3 3 3 A A A A Pw 90 W 25 W 90 W 90 W
3 1 2
TYPICAL RDS(on) = 4.1 EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED GATE CHARGE MINIMIZED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES VERY GOOD MANUFACTURING REPEATIBILITY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 900 В
- On State Resistance: 4.1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 3 А
- Тип корпуса: DPAK
- Power Dissipation Pd: 90 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 900 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть