Datasheet STD4NK50ZD-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, I-PAK — Даташит

Купить STD4NK50ZD-1 на РадиоЛоцман.Цены — от 38 до 668 ₽ 13 предложений от 12 поставщиков TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ChipWorker Весь мир	STD4NK50ZD-1 STMicroelectronics	38 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	STD4NK50ZD-1 STMicroelectronics	80 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	STD4NK50ZD-1	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	STD4NK50ZD-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, I-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD4NK50ZD - STD4NK50ZD-1 STF4NK50ZD - STP4NK50ZD
N-channel 500V - 2.4 - 3A - TO-220 - TO-220FP- DPAK - IPAK Fast diode SuperMESHTM Power MOSFET
General features
Type STD4NK50ZD-1 STD4NK50ZD STF4NK50ZD STP4NK50ZD
VDSS 500V 500V 500V 500V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 2.7 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: I-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 120mJ
• Capacitance Ciss Typ: 310 пФ
• Current Iar: 3 А
• Current Id Max: 3 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 2.78°C/W
• Тип корпуса: IPAK
• Power Dissipation Pd: 45 Вт
• Pulse Current Idm: 12 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.5 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: 2.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Panasonic - EYGA121807A
• Roth Elektronik - RE901

Варианты написания:

STD4NK50ZD1, STD4NK50ZD 1