Datasheet STD4NK60Z-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 4 А IPAK — Даташит

Купить STD4NK60Z-1 на РадиоЛоцман.Цены — от 7.74 до 181 ₽ 29 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, N-CHANNEL 600V - 1.76Ω - 4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET
T-electron Россия и страны СНГ	STD4NK60Z-1 STMicroelectronics	22 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	STD4NK60Z-1G STMicroelectronics	от 27 ₽	Купить
Maybo Весь мир	STD4NK60Z-1 STMicroelectronics	43 ₽	Купить
Augswan Весь мир	STD4NK60Z-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 4 А IPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60Z STD4NK60Z-1, STP4NK60Z,STP4NK60ZFP
N-channel 600 V - 1.76 - 4 A SuperMESHTM Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP
Features
Type STB4NK60Z STB4NK60Z-1 STD4NK60Z STD4NK60Z-1 STP4NK60Z STP4NK60ZFP
VDSS 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 1.76 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: I-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 4 А
• Тип корпуса: IPAK
• Power Dissipation Pd: 70 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

STD4NK60Z1, STD4NK60Z 1