Datasheet STD4NK60Z-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 4 А IPAK — Даташит
Наименование модели: STD4NK60Z-1
Купить STD4NK60Z-1 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 111 ₽ 23 предложений от 11 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 70Вт; IPAK | |||
STD4NK60Z-1 STMicroelectronics | 13 ₽ | ||
STD4NK60Z-1 STMicroelectronics | 25 ₽ | ||
STD4NK60Z-1 STMicroelectronics | по запросу | ||
STD4NK60Z-1 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 4 А IPAK
Краткое содержание документа:
STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60Z STD4NK60Z-1, STP4NK60Z,STP4NK60ZFP
N-channel 600 V - 1.76 - 4 A SuperMESHTM Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP
Features
Type STB4NK60Z STB4NK60Z-1 STD4NK60Z STD4NK60Z-1 STP4NK60Z STP4NK60ZFP
VDSS 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 1.76 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: I-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 4 А
- Тип корпуса: IPAK
- Power Dissipation Pd: 70 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
STD4NK60Z1, STD4NK60Z 1