На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet STD4NK80ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 800 В 3 А DPAK — Даташит

STMicroelectronics STD4NK80ZT4

Наименование модели: STD4NK80ZT4

49 предложений от 23 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 1.5 А, 3 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STD4NK80ZT4
STMicroelectronics
18 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STD4NK80ZT4
STMicroelectronics
34 ₽
ЭИК
Россия
STD4NK80ZT4
STMicroelectronics
от 117 ₽
LifeElectronics
Россия
STD4NK80ZT4.
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 800 В 3 А DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP4NK80Z - STP4NK80ZFP STD4NK80Z - STD4NK80Z-1
N-channel 800V - 3 - 3A - TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESHTM MOSFET
General features
Type STP4NK80Z STP4NK80ZFP STD4NK80Z STD4NK80Z-1
VDSS (@Tjmax) 800 V 800 V 800 V 800 V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 800 В
  • On State Resistance: 3 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 3 А
  • Тип корпуса: DPAK
  • Power Dissipation Pd: 80 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 800 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STD4NK80ZT4 - STMicroelectronics MOSFET N CH 800 V 3 A DPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России