Datasheet STD5NK50Z-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 500 В 4.4 А IPAK — Даташит
Наименование модели: STD5NK50Z-1
![]() 16 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET | |||
STD5NK50Z-1 STMicroelectronics | 29 ₽ | ||
STD5NK50Z-1 STMicroelectronics | 45 ₽ | ||
STD5NK50Z-1 STMicroelectronics | по запросу | ||
STD5NK50Z-1 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 500 В 4.4 А IPAK
Краткое содержание документа:
STB5NK50Z/-1 - STD5NK50Z/-1 STP5NK50Z - STP5NK50ZFP
N-CHANNEL 500V - 1.22 - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESHTMMOSFET
Table 1: General Features
TYPE STB5NK50Z STB5NK50Z-1 STD5NK50Z STD5NK50Z-1 STP5K50Z STP5K50ZFP
s s s s s s s
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 1.22 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: I-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 4.4 А
- Тип корпуса: IPAK
- Power Dissipation Pd: 70 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
STD5NK50Z1, STD5NK50Z 1