HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STD5NM60T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, D-PAK — Даташит

STMicroelectronics STD5NM60T4

Наименование модели: STD5NM60T4

31 предложений от 15 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 5 А, 1 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STD5NM60T4
STMicroelectronics
26 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STD5NM60T4
STMicroelectronics
52 ₽
ЭИК
Россия
STD5NM60T4
STMicroelectronics
от 249 ₽
STD5NM60T4
STMicroelectronics
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP8NM60 - STP8NM60FP STB8NM60 - STD5NM60 - STD5NM60-1
N-CHANNEL [email protected] TO-220/FP/D/IPAK/DІPAK STripFETTM II MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STP8NM60 STP8NM60FP STD5NM60 STD5NM60-1 STB8NM60
s s s s

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On State Resistance: 1 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Альтернативный тип корпуса: D-PAK
  • Current Id Max: 5 А
  • External Depth: 10.5 мм
  • Внешняя длина / высота: 2.55 мм
  • Внешняя ширина: 6.8 мм
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: DPAK
  • Power Dissipation Pd: 96 Вт
  • Pulse Current Idm: 20 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet STD5NM60T4 - STMicroelectronics MOSFET, N, D-PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России