Datasheet STD60N3LH5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 48 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: STD60N3LH5
![]() 21 предложений от 18 поставщиков MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 48 А; Rси(вкл): 8 мОм; @Uзатв(ном): 2...5 В; Uзатв(макс): 30... | |||
STD60N3LH5 STMicroelectronics | 76 ₽ | ||
STD60N3LH5-H STMicroelectronics | от 158 ₽ | ||
STD60N3LH5 STMicroelectronics | по запросу | ||
STD60N3LH5-H STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 48 А, DPAK
Краткое содержание документа:
STD60N3LH5 STP60N3LH5, STU60N3LH5
N-channel 30 V, 0.0072 48 A DPAK, IPAK, TO-220 , STripFETTM V Power MOSFET
Features
Type STD60N3LH5 STP60N3LH5 STU60N3LH5
VDSS 30 V 30 V 30 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 24 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 7.6 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Рассеиваемая мощность: 60 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 48 А
- Тип корпуса: DPAK
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 22 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть