Datasheet STD6NF10T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: STD6NF10T4
![]() 45 предложений от 21 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 3 А, 0.22 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount | |||
STD6NF10T4 STMicroelectronics | 12 ₽ | ||
STD6NF10T4 STMicroelectronics | 104 ₽ | ||
STD6NF10T4 STMicroelectronics | 132 ₽ | ||
STD6NF10T4 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6 А, DPAK
Краткое содержание документа:
STD6NF10 STU6NF10
N-channel 100 V, 0.22 6 A, DPAK, IPAK , low gate charge STripFETTM Power MOSFET
Features
Type STD6NF10 STU6NF10
VDSS 100 V 100 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 220 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Рассеиваемая мощность: 30 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 6 А
- Тип корпуса: DPAK
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть