Datasheet STD8NM60N-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 7 А IPAK — Даташит

Купить STD8NM60N-1 на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 709 ₽ 8 предложений от 7 поставщиков TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Maybo Весь мир	STD8NM60N-1 STMicroelectronics	18 ₽	Купить
727GS Весь мир	STD8NM60N-1 STMicroelectronics	от 709 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	STD8NM60N-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	STD8NM60N-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 7 А IPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx8NM60N
N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmeshTM II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK
Features
Type STB8NM60N STD8NM60N STD8NM60N-1 STF8NM60N STP8NM60N VDSS (@Tjmax) 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V RDS(on) max < 0.65 < 0.65 < 0.65 < 0.65 < 0.65 ID
3

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 560 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: I-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 7 А
• Тип корпуса: IPAK
• Power Dissipation Pd: 70 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

STD8NM60N1, STD8NM60N 1