Datasheet STF10NM65N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 650 В 9 А TO-220FP — Даташит

Купить STF10NM65N на РадиоЛоцман.Цены — от 139 до 308 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков MOSFET N-CH 650V 9A TO-220FP. N-Channel 650V 9A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Рутоника Россия и страны СНГ	STF10NM65N STMicroelectronics	по запросу	Купить
727GS Весь мир	STF10NM65N STMicroelectronics	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	STF10NM65N STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	STF10NM65N STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 650 В 9 А TO-220FP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD10NM65N - STF10NM65N STP10NM65N - STU10NM65N
N-channel 650 V, 0.43 , 9 A MDmeshTM II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK
Features
Type STD10NM65N STF10NM65N STP10NM65N STU10NM65N VDSS (@Tjmax) 710 V 710 V 710 V 710 V RDS(on) max < 0.48 < 0.48 < 0.48 < 0.48 ID
2 3

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On State Resistance: 430 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220FP
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 9 А
• Тип корпуса: TO-220FP
• Power Dissipation Pd: 25 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть