Datasheet STF3NK80Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220FP — Даташит
Наименование модели: STF3NK80Z
![]() 59 предложений от 25 поставщиков MOSFET транзистор -; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 2.5 А; Rси(вкл): 4.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл | |||
STF3NK80Z ST TO-220F STMicroelectronics | от 58 ₽ | ||
STF3NK80Z | от 100 ₽ | ||
STF3NK80Z STMicroelectronics | 183 ₽ | ||
STF3NK80Z-1 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220FP
Краткое содержание документа:
STP3NK80Z - STF3NK80Z STD3NK80Z - STD3NK80Z-1
N-channel 800V - 3.8 - 2.5A - TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
General features
Type STP3NK80Z STF3NK80Z STD3NK80Z STD3NK80Z-1
VDSS (@Tjmax) 800 V 800 V 800 V 800 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On State Resistance: 4.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220FP
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 170mJ
- Current Id Max: 2.5 А
- On State resistance @ Vgs = 10V: 4.5 Ом
- Тип корпуса: TO-220FP
- Power Dissipation Pd: 25 Вт
- Pulse Current Idm: 10 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Voltage Vds: 800 В
- Voltage Vds Typ: 800 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4.5 В
- Voltage Vgs th Min: 3 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS