Datasheet STI23NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 19 А I2PAK TO262 — Даташит

Купить STI23NM60N на РадиоЛоцман.Цены 9 предложений от 8 поставщиков TO-262-3 Long Leads, I虏Pak, TO-262AA
Maybo Весь мир	STI23NM60N STMicroelectronics	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	STI23NM60N STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	STI23NM60N STMicroelectronics	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	STI23NM60N STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 19 А I2PAK TO262

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB23NM60N-STF23NM60N STI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60N
N-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmeshTM Power MOSFET
Features
Type STB23NM60N STI23NM60N STF23NM60N STP23NM60N STW23NM60N
1.

Limited only by maximum temperature allowed

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 9.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 150 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: I2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 19 А
• Тип корпуса: I2-PAK
• Power Dissipation Pd: 150 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть