Datasheet STN1HNK60 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 400 мА, SOT223 — Даташит
Наименование модели: STN1HNK60
![]() 53 предложений от 24 поставщиков Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.4А 3.3Вт | |||
STN1HNK60 | 21 ₽ | ||
STN1HNK60 STMicroelectronics | 27 ₽ | ||
STN1HNK60/BKN STMicroelectronics | 40 ₽ | ||
STN1HNK60 STMicroelectronics | от 136 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 400 мА, SOT223
Краткое содержание документа:
STD1NK60 - STD1NK60-1
STQ1HNK60R - STN1HNK60
N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESHTM MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STD1NK60 STD1NK60-1 STQ1HNK60R STN1HNK60
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 500 мА
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 8 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 3.3 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 400 мА
- Тип корпуса: SOT-223
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть