Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheet STN1HNK60 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 400 мА, SOT223 — Даташит

STMicroelectronics STN1HNK60

Наименование модели: STN1HNK60

53 предложений от 24 поставщиков
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.4А 3.3Вт
Триема
Россия
STN1HNK60
21 ₽
Контест
Россия
STN1HNK60
STMicroelectronics
27 ₽
AiPCBA
Весь мир
STN1HNK60/BKN
STMicroelectronics
40 ₽
727GS
Весь мир
STN1HNK60
STMicroelectronics
от 136 ₽

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 400 мА, SOT223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD1NK60 - STD1NK60-1
STQ1HNK60R - STN1HNK60
N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESHTM MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STD1NK60 STD1NK60-1 STQ1HNK60R STN1HNK60

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 500 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 8 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 3.3 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Id Max: 400 мА
  • Тип корпуса: SOT-223
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STN1HNK60 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 400 mA, SOT223

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка