Datasheet STN1NK80Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 800 В 0.25 А SOT223 — Даташит

Купить STN1NK80Z на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 623 ₽ 61 предложений от 28 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0.25Емкость, пФ: 160Заряд затвора, нКл: 7,7Описание: N-Channel 800 V 250mA (Tc)...
Контест Россия	STN1NK80Z	26 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	STN1NK80Z STMicroelectronics	от 101 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	STN1NK80Z STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	STN1NK80Z STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 800 В 0.25 А SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STQ1NK80ZR-AP - STN1NK80Z STD1NK80Z - STD1NK80Z-1
N-CHANNEL 800V - 13 - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESHTM MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STQ1NK80ZR-AP STN1NK80Z STD1NK80Z STD1NK80Z-1
Figure 1: Package

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 500 мА
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On State Resistance: 13 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 30 В
• Voltage Vgs Max: 3.75 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 250 мА
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть