Datasheet STP10NM65N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 650 В 9 А TO-220 — Даташит

Купить STP10NM65N на РадиоЛоцман.Цены — от 142 до 351 ₽ 20 предложений от 14 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
Триема Россия	STP10NM65N-VB	142 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	STP10NM65N	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	STP10NM65N STMicroelectronics	по запросу	Купить
727GS Весь мир	STP10NM65N STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 650 В 9 А TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD10NM65N - STF10NM65N STP10NM65N - STU10NM65N
N-channel 650 V, 0.43 , 9 A MDmeshTM II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK
Features
Type STD10NM65N STF10NM65N STP10NM65N STU10NM65N VDSS (@Tjmax) 710 V 710 V 710 V 710 V RDS(on) max < 0.48 < 0.48 < 0.48 < 0.48 ID
2 3

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On State Resistance: 430 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 9 А
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 90 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть