Datasheet STP10NM65N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 650 В 9 А TO-220 — Даташит

STMicroelectronics STP10NM65N

Наименование модели: STP10NM65N

Купить STP10NM65N на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 293 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков транз: N-MOSFET 650V 9A
Стандарт СИЗ Россия	STP10NM65N STMicroelectronics	42 ₽
Akcel Весь мир	STP10NM65N STMicroelectronics	от 122 ₽
AiPCBA Весь мир	STP10NM65N STMicroelectronics	183 ₽
TradeElectronics Россия	STP10NM65N STMicroelectronics	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 650 В 9 А TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD10NM65N - STF10NM65N STP10NM65N - STU10NM65N
N-channel 650 V, 0.43 , 9 A MDmeshTM II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK
Features
Type STD10NM65N STF10NM65N STP10NM65N STU10NM65N VDSS (@Tjmax) 710 V 710 V 710 V 710 V RDS(on) max < 0.48 < 0.48 < 0.48 < 0.48 ID
2 3

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 4.5 А
Drain Source Voltage Vds: 650 В
On State Resistance: 430 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 25 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: TO-220
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Current Id Max: 9 А
Тип корпуса: TO-220
Power Dissipation Pd: 90 Вт
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Тип транзистора: Power MOSFET
Voltage Vds Typ: 650 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть