Datasheet STP11NK40Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: STP11NK40Z
 Купить STP11NK40Z на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 188 ₽53 предложений от 22 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 400 В, 9 А, 0.55 Ом, TO-220, Through Hole | |||
| BUK457-400B (ST-STP11NK40Z) STMicroelectronics | 15 ₽ | ||
| STP11NK40Z STMicroelectronics | 39 ₽ | ||
| STP11NK40Z STMicroelectronics | 93 ₽ | ||
| STP11NK40Z STMicroelectronics | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
STB11NK40Z, STP11NK40ZFP STP11NK40Z
N-channel 400 V, 0.49 9 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK , Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STB11NK40Z STP11NK40Z STP11NK40ZFP
VDSS 400V 400V 400V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 9 А
- Drain Source Voltage Vds: 400 В
- On State Resistance: 550 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 190mJ
- Capacitance Ciss Typ: 930 пФ
- Current Id Max: 9 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Расстояние между выводами: 2.54 мм
- Количество транзисторов: 1
- On State resistance @ Vgs = 10V: 550 МОм
- Тип корпуса: TO-220
- Pin Configuration: А
- Power Dissipation Pd: 110 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 110 Вт
- Pulse Current Idm: 36 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 225 нс
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Voltage Vds Typ: 400 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4.5 В
- Voltage Vgs th Min: 3 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5
