Datasheet STP12NK60Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 10 А TO220 — Даташит
Наименование модели: STP12NK60Z
![]() 22 предложений от 19 поставщиков N-channel 650 v @tjmax- 0.53 ? - 10 a - to-220 zener-protected supermeshTM power mosfet | |||
STP12NK60Z STMicroelectronics | 213 ₽ | ||
STP12NK60Z | 264 ₽ | ||
AP3990P (ST-STP12NK60Z) | по запросу | ||
STP12NK60Z_09 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 10 А TO220
Краткое содержание документа:
STP12NK60Z STF12NK60Z, STW12NK60Z
N-channel 650 V @Tjmax, 0.53 , 10 A TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STP12NK60Z STF12NK60Z STW12NK60Z
VDSS (@Tjmax) 650 V 650 V 650 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 530 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 30 В
- Voltage Vgs Max: 3.75 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 10 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 150 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть