Datasheet STP12NK80Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить STP12NK80Z на РадиоЛоцман.Цены — от 57 до 540 ₽ 33 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 10.5 А, 0.75 Ом, TO-220, Through Hole
Стандарт СИЗ Россия	STP12NK80Z STMicroelectronics	57 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STP12NK80Z STMicroelectronics	145 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	STP12NK80Z STMicroelectronics	311 ₽	Купить
AliExpress Весь мир	STP12NM50 STP12NM60N STP12NK30Z STP12NK60Z STP12NK80Z STP130NH02L STP130NS04ZB STP130N6F7 STP130N10F3 STP13NM60M2 STP13N80K5	540 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP12NK80Z - STB12NK80Z STW12NK80Z
N-CHANNEL 800V - 0.65 - 10.5A TO-220 / D2PAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESHTMPower MOSFET
TYPE STP12NK80Z STB12NK80Z STW12NK80Z
s s s s s s
VDSS 800 V 800 V 800 V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 10.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On State Resistance: 750 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
• Current Id Max: 10.5 А
• On State resistance @ Vgs = 10V: 750 МОм
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 190 Вт
• Pulse Current Idm: 42 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Voltage Vds: 800 В
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
• Fischer Elektronik - WLK 5