Datasheet STP160N75F3 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 75 В 120 А TO-220 — Даташит

Наименование модели: STP160N75F3
Купить STP160N75F3 на РадиоЛоцман.Цены — от 172 до 3 299 ₽19 предложений от 16 поставщиков MOSFET N-CH 75V 120A TO-220. N-Channel 75V 120A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| STP160N75F3 STMicroelectronics | 372 ₽ | ||
| STP160N75F3 STMicroelectronics | от 641 ₽ | ||
| STP160N75F3 STMicroelectronics | 725 ₽ | ||
| STP160N75F3 | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 75 В 120 А TO-220
Краткое содержание документа:
STB160N75F3 STP160N75F3 - STW160N75F3
N-channel 75V - 3.5m - 120A - TO-220 - TO-247 - D2PAK STripFETTM Power MOSFET
Features
Type STB160N75F3 STP160N75F3 STW160N75F3 VDSS 75V 75V 75V RDS(on) (max.) 3.7 m 4 m 4 m ID 120 A(1)
1 3 2
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 60 А
- Drain Source Voltage Vds: 75 В
- On State Resistance: 3.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 120 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 330 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 75 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть

Купить STP160N75F3 на РадиоЛоцман.Цены




