Datasheet STP35NF10 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить STP35NF10 на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 334 ₽ 20 предложений от 14 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Стандарт СИЗ Россия	STP35NF10 STMicroelectronics	11 ₽	Купить
Триема Россия	STP35NF10 STMicroelectronics	26 ₽	Купить
Десси Россия	Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ STP35NF10 STMicroelectronics	77 ₽	Купить
Akcel Весь мир	STP35NF10 STMicroelectronics	от 170 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP35NF10 STB35NF10
N-CHANNEL 100V - 0.030 - 40A TO-220 / D2PAK LOW GATE CHARGE STripFETTM POWER MOSFET
TYPE STP35NF10 STB35NF10
s s s s
VDSS 100 V 100 V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 40 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 35 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 13mJ
• Capacitance Ciss Typ: 1550 пФ
• Current Id Max: 40 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Расстояние между выводами: 2.54 мм
• Количество транзисторов: 1
• On State resistance @ Vgs = 10V: 35 МОм
• Тип корпуса: TO-220
• Pin Configuration: А
• Power Dissipation Pd: 115 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 115 Вт
• Pulse Current Idm: 160 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 160 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
• Fischer Elektronik - WLK 5