Datasheet STP3NK60Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить STP3NK60Z на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 201 ₽ 29 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,51А; 45Вт; TO220-3
Стандарт СИЗ Россия	STP3NK60Z STMicroelectronics	10 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STP3NK60Z STMicroelectronics	27 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	STP3NK60Z STMicroelectronics	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	STP3NK60Z STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP3NK60Z - STP3NK60ZFP STB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK60Z-1
N-CHANNEL 600V - 3.3 - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTMPower MOSFET
TYPE STP3NK60Z STP3NK60ZFP STB3NK60Z STD3NK60Z STD3NK60Z-1
s s s s s s
VDSS 600 600 600 600 600 V V V V V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 3.6 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
• Current Id Max: 2.4 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Расстояние между выводами: 2.54 мм
• Количество транзисторов: 1
• On State resistance @ Vgs = 10V: 3.6 Ом
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 45 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 45 Вт
• Pulse Current Idm: 9.6 А
• SMD Marking: STP3NK60Z
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
• Fischer Elektronik - WLK 5