Datasheet STP60NF10 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 100 В 80 А TO-220 — Даташит

Купить STP60NF10 на РадиоЛоцман.Цены — от 33 до 273 ₽ 50 предложений от 24 поставщиков MOSFET N-CH 100V 80A TO-220. N-Channel 100V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Десси Россия	Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ STP60NF10 STMicroelectronics	110 ₽	Купить
Элитан Россия	STP60NF10 STMicroelectronics	140 ₽	Купить
Триема Россия	STP60NF10 TO220 ST	173 ₽	Купить
727GS Весь мир	STP60NF10 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 100 В 80 А TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB60NF10 STB60NF10-1 - STP60NF10
N-channel 100V - 0.019 - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STB60NF10 STB60NF10-1 STP60NF10
VDSS (@Tjmax) 100V 100V 100V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 40 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 19 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 80 А
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 300 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть