HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STP7NM80 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 800 В 6.5 А TO-220 — Даташит

STMicroelectronics STP7NM80

Наименование модели: STP7NM80

18 предложений от 12 поставщиков
транз: N-MOSFET 800V 6.5A
SPP06N80C3 (ST-STP7NM80)
STMicroelectronics
32 ₽
AliExpress
Весь мир
STP7NA40 STP7NA60 STP7NB40 STP7NB60 STP7NB80 STP7NC70Z STP7NC80Z STP7NM50N STP7NM60N STP7NM80 STP7NK30Z STP7NK40Z TO-220
54 ₽
ЧипСити
Россия
STP7NM80
STMicroelectronics
261 ₽
Acme Chip
Весь мир
STP7NM80
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 800 В 6.5 А TO-220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD7NM80, STD7NM80-1 STF7NM80, STP7NM80
N-channel 800 V, 0.95 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK MDmeshTM Power MOSFET
Features
Type STD7NM80 STD7NM80-1 STF7NM80 STP7NM80
VDSS 800 V 800 V 800 V 800 V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.25 А
  • Drain Source Voltage Vds: 800 В
  • On State Resistance: 950 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-220
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 6.5 А
  • Тип корпуса: TO-220
  • Power Dissipation Pd: 90 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 800 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STP7NM80 - STMicroelectronics MOSFET N CH 800 V 6.5 A TO-220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России