Datasheet STP80NF12 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 120 В 80 А TO-220 — Даташит
Наименование модели: STP80NF12
![]() 62 предложений от 27 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; STripFETTM II; полевой; 120В; 60А; 300Вт | |||
STP80NF12 STMicroelectronics | от 216 ₽ | ||
STP80NF12 STMicroelectronics | по запросу | ||
STP80NF12_07 STMicroelectronics | по запросу | ||
STP80NF12 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 120 В 80 А TO-220
Краткое содержание документа:
STP80NF12
N-channel 120 V, 0.013 , 80 A, TO-220 STripFETTM II Power MOSFET
Features
Type STP80NF12
VDSS 120 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 40 А
- Drain Source Voltage Vds: 120 В
- On State Resistance: 13 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 80 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 120 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть